램리서치1

램리서치의 "극저온 식각" NAND Flash 소자는 최대한 많은 층의 소자를 쌓아올려 용량을 늘리는 방식으로 진화하고 있습니다.지난해 11월 SK하이닉스가 세계 최고 층수인 321단 낸드를 양산하기 시작했고, 삼성전자도 400단 이상의 낸드를 개발하고 있습니다.  이렇게 높은 단수의 NAND를 제작하기 위해서 가장 중요한 것 중 하나가 바로 "식각" 기술입니다.NAND flash는 oxide-nitride 층을 겹겹이 쌓고, 이를 관통하는 구멍을 뚫습니다. 이러한 구멍이 바로 channel hole (or plug)입니다.하지만 적층 수가 증가하게 된다면 channel hole을 바닥 끝까지 형성하는 것이 어려워집니다. 왜냐하면 기존의 반도체 식각 장비로는 한 번에 100단 정도만 식각을 할 수 있기 때문입니다. 위의 그림과 같.. 2025. 2. 21.

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