SCE3 반도체 소자(9) - leakage current 이번 글에서는 MOSFET의 SCE를 포함한 leakage current에 대해 정리해 보겠습니다. Leakage current의 종류는 아래 그림처럼 다양합니다. 이번 글에서는 아래와 같이 MOSFET에서 발생할 수 있는 다양한 leakage current에 대해 정리해보도록 하겠습니다. 대부분의 내용이 SCE의 내용과 겹치긴 하지만 leakage current 측면에서 다시 한 번 정리해 보는 취지입니다. 가장 먼저 pn junction leakage current에 대해 설명해보겠습니다.① Junction leakageNMOS 기준에서, drain은 n-type, body는 p-type으로 도핑되어 있습니다. 소자를 동작시키기 위해서는 양의 drain 전압을 가하게 되는데요. 이렇게 되면 drain.. 2025. 1. 9. 반도체 소자(8)- short channel effect 이번 글에서는 MOSFET의 크기가 줄어들면서 발생하는 short channel effect (SCE)에 대해 정리해보겠습니다.지난 글에서도 언급하였지만 소자의 크기를 줄이는 데는 성능 향상과 집적도 향상이라는 목표가 있습니다. 채널의 길이 L을 줄이게 되면 전류 ID는 증가하고 이는 결국 채널의 저항이 감소하는 것과 같습니다. 또한 채널의 길이를 줄이면 채널의 area가 감소하여 결론적으로 채널에 존재하는 capacitance가 감소합니다. 결국 RC delay를 일으키는 저항과 cap 성분이 감소하면서 더욱 빠른 switching이 가능해집니다. 또한 소자의 크기가 줄어들면 하나의 웨이퍼 위에 더욱 많은 수의 소자를 제작할 수 있기 때문에 비용적인 측면에서도 장점을 갖습니다. 하지만 이렇게 소자의 크.. 2025. 1. 7. 반도체 소자(7)- MOSFET ② 저번 글에 이어서 MOSFET에 대해 설명해보도록 하겠습니다. 특히 이번 글에서는 MOSFET의 non-ideal한 특성들에 대해서 설명해보겠습니다. 먼저 MOSFET의 성능이 좋다는 것은 어떤 것을 의미할까요? MOSFET의 성능은 크게 두 가지로 나누어 설명할 수 있습니다.1) High ON currentMOSFET은 필연적으로 기생 cap 성분이 존재할 수밖에 없습니다. 이로 인해 RC delay가 발생하게 되는데요, 이는 소자의 switching 속도를 저하시키는 요인입니다. 이러한 RC delay의 영향을 가장 적게 받기 위해서는 ON current를 높여 cap을 빠르게 충전하도록 해야합니다. 따라서 high-speed switching을 위해서는 높은 ON current를 갖는 것이 좋습니다.. 2025. 1. 2. 이전 1 다음
