nand2 램리서치의 "극저온 식각" NAND Flash 소자는 최대한 많은 층의 소자를 쌓아올려 용량을 늘리는 방식으로 진화하고 있습니다.지난해 11월 SK하이닉스가 세계 최고 층수인 321단 낸드를 양산하기 시작했고, 삼성전자도 400단 이상의 낸드를 개발하고 있습니다. 이렇게 높은 단수의 NAND를 제작하기 위해서 가장 중요한 것 중 하나가 바로 "식각" 기술입니다.NAND flash는 oxide-nitride 층을 겹겹이 쌓고, 이를 관통하는 구멍을 뚫습니다. 이러한 구멍이 바로 channel hole (or plug)입니다.하지만 적층 수가 증가하게 된다면 channel hole을 바닥 끝까지 형성하는 것이 어려워집니다. 왜냐하면 기존의 반도체 식각 장비로는 한 번에 100단 정도만 식각을 할 수 있기 때문입니다. 위의 그림과 같.. 2025. 2. 21. 반도체 소자(12)- flash memory 이번 글에서는 flash memory에 대해서 설명하도록 하겠습니다.Flash memory는 전기적으로 데이터를 지우고 프로그래밍할 수 있는 EPROM에서 파생된 메모리소자입니다. DRAM 대비 동작 속도는 느리지만 고용량, 높은 집적도, 저비용의 장점이 있는 소자입니다. 또한 전원이 꺼져도 저장된 데이터를 유지할 수 있는 비휘발성 (nonvolatile)메모리에 속합니다. 따라서 DRAM과 달리 refresh 동작이 필요하지 않아 에너지 측면에서 효율적이라고 할 수 있습니다.Flash memory는 USB, SD카드 혹은 모바일 기기의 소비자용 저장 장치에 사용됩니다. 또한 최근에는 클라우딩 컴퓨팅 및 데이터 센터, 서버 등에 활용되고 있습니다. 기본적인 floating gate flash memory.. 2025. 1. 23. 이전 1 다음
