MOSCAP3 반도체 소자(6)- MOSFET ① 이번 글에서는 본격적으로 MOSFET에 대해 설명드리도록 하겠습니다. MOSFET은 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor의 약어로, 이 용어에 대해서는 아래 설명드리겠습니다. MOSFET은 MOS capacitor와 유사하지만 MOS cap 양단에 기판과는 반대의 극성을 갖는 source/drain이 추가되어 총 4개의 단자(gate, source, drain. body)를 갖는 소자입니다. Source는 이름에서 어느정도 유추할 수 있듯이, 전자의 공급원이 되는 단자입니다. 일반적인 경우에는 source와 body는 ground되어 있는 상태입니다. MOSFET의 동작 원리에 대해서는 뒤에서도 더 자세하게 설명하겠지만 먼저 간단하게 설명해보겠습니다. .. 2024. 12. 29. 반도체 소자(5)- MOS capacitor ② 이번글에서는 지난 MOS capacitor ① 에 이어서 MOS capacitor의 C-V 특성을 위주로 설명해보겠습니다. 이전 글에서 VG와 semiconductor의 전하의 관계를 위와 같은 그래프로 나타내었습니다. 이렇게 정의된 전하들은 gate에 인가되는 small signal에 따라서 그 양이 변화하게 됩니다. 즉, C = |dQm/dVG| = |dQs/dVG| 에 해당하는 capacitance 값을 갖게 됩니다. 게이트에 인가되는 DC 전압은 MOS cap의 mode (or 상태)를 결정하게 되고 AC 전압은 이러한 cap 성분을 만들게 됩니다.위의 그래프를 통해 설명하자면, 해당 그래프의 기울기 값이 바로 capacitance가 되는 것입니다. Accumulation과 inversion 상태.. 2024. 12. 18. 반도체 소자(4)- MOS capacitor ① 이번 글에서는 MOSFET의 기본 구조인 MOS capacitor에 대해 공부해보도록 하겠습니다.일단 MOS capacitor는 Metal-Oxide-Semiconductor 구조로, 아래와 같습니다.MOS 구조는 gate에 해당하는 metal (혹은 highly doped poly-Si), oxide (insulator), 그리고 semiconductor가 stack되어 있는 구조로, gate와 substrate에 전압을 인가할 수 있는 두 개의 단자를 갖습니다. (참고로, gate 물질로 metal이나 highly doped poly-Si를 사용한다고 하였는데 crystalline이 아니라 poly-Si를 사용하는 이유는 wafer가 아닌 영역에서 Si를 형성하기 위해서는 증착 공정을 통해 Si 층을.. 2024. 12. 18. 이전 1 다음
