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LPCAMM 이번 글에서는 꾸준히 언급되고 있는 LPCAMM이라는 모듈에 대해서 정리해보겠습니다.SK하이닉스가 1분기 실적 발표를 통해 올해 1분기부터 일부 PC 고객사에 LPCAMM2를 공급했다고 밝혔습니다. 지난 SOCAMM 글에서도 LPCAMM에 대해 언급했지만, 조금 더 자세한 내용을 정리해보겠습니다. 먼저 LPCAMM은 Low Power Compression Attatched Memory Module입니다.이름부터 살펴보자면 일단 LPCAMM은 메모리 모듈인데요, 'Low Power'에서 알 수 있듯이 LPDDR로 구성된 메모리 모듈입니다. LPCAMM이 등장하게 된 배경은 다음과 같습니다. 일단 현재 노트북에 주로 사용되는 메모리는, SO-DIMM 규격을 갖습니다. SO-DIMM은 소형 PC, 노트북과 같.. 2025. 5. 1.
SOCAMM이란? 이번 글에서는 차세대 메모리 표준인 SOCAMM에 대해 여러 기사들과 제가 정리한 내용들을 다뤄보겠습니다. SOCAMM은 Small Outline Copression Attached Memory Module으로, LPDDR을 활용한 메모리 모듈에 해당합니다. 그럼 먼저, 메모리 모듈은 기존에 어떤 것들이 있는지를 살펴보겠습니다.(아래 유튜브 참고!)https://youtu.be/Ar4M33HB67k?si=4MeTjm_92U4qYqDS  DIMM (Dual In-Line Memory Module)DIMM은 여러 개의 DRAM 칩을 회로 기판 위에 탑재한 메모리 모듈로, 메모리 칩이 장착된 회로기판과 마더보드에 꽂을 수 있도록 설계된 핀으로 덮여져 있습니다.DIMM이전에는 SIMM (Single In-Lin.. 2025. 3. 24.
LPW에 대해서! 이번 글에서는 LPW에 대한 여러 기사들을 정리해 보도록 하겠습니다. 먼저, LPW는 LLW 또는 커스텀 메모리로 불립니다.각각의 용어를 살펴보면LPW: Low Power Wide I/OLLW: Low Latency Wide I/O명확하게 정해진 용어가 없었으나 요즘엔 LPW라는 표현을 쓰는 것 같습니다. LPW DRAM, LPW NAND 등 다양한 방식이 있는데요, 일단 어떤 이름이든지 "Wide I/O"라는 표현이 사용됩니다.이는 말그대로 I/O 수를 늘린 메모리라는 뜻입니다. 입출력 단자를 늘려 bandwidth를 개선하는 것입니다. 이러한 방식으로 사용되는 것 중 하나가 HBM입니다. DRAM 다이를 적층한 뒤 1024개의 I/O를 뚫어 (HBM4에서는 2048개) 대역폭을 확장 시킨 방식으로 고.. 2025. 3. 18.
ASML의 "High-NA EUV" 포토 공정은 현대 반도체 공정에서 가장 중요한 단계라고 할 수 있습니다. 빛을 이용해 웨이퍼에 반도체 회로를 형성하는 과정으로, 4 nm → 3 nm → 2 nm ··· 로 미세화되는 패턴을 구현하기 위해서는 포토 공정이 매우 중요합니다. https://mem5ry.tistory.com/22 반도체 공정(4)- 포토공정 [반도체 8대 공정 ③]이번 글에서는 반도체 8대 공정의 3번째 단계인 포토 공정에 대해서 정리해 보겠습니다.포토 공정은 photolithography라는 용어로 표현할 수 있습니다. 여기서 lithography는 litho(stone) + graphite (write)로,mem5ry.tistory.com 포토 공정에 대한 글에서도 다뤘듯이, 포토 공정에서 중요한 파라미터 중 하나는 re.. 2025. 3. 7.
반도체 소자(14)- BJT 이번 글에서는 반도체 소자 중 BJT에 대해서 다뤄보겠습니다.BJT는 메모리 소자 등으로는 잘 쓰이지 않지만 가장 먼저 개발된 트랜지스터로, 다양한 소자를 이해하는 데 기반이 됩니다. BJT는 Bipolar Junction Transistor의 약자로, junction이 두 개 있는 트랜지스터 소자를 말합니다. 이는 pn junction이 두 개 접해있는 형태로, npn, pnp BJT 두 가지 종류가 있습니다. 먼저 BJT의 구조를 살펴보겠습니다.NPN BJT를 예시로 들자면, n+-p-n 으로 도핑되어 있고n+ 영역은 이미터 (Emitter, E), n 영역은 콜렉터 (Collector, C), 두 n 형 사이의 p 영역을 베이스 (Base, B)라고 합니다.NPN BJT의 에너지 밴드 다이어그램을 .. 2025. 2. 24.
램리서치의 "극저온 식각" NAND Flash 소자는 최대한 많은 층의 소자를 쌓아올려 용량을 늘리는 방식으로 진화하고 있습니다.지난해 11월 SK하이닉스가 세계 최고 층수인 321단 낸드를 양산하기 시작했고, 삼성전자도 400단 이상의 낸드를 개발하고 있습니다.  이렇게 높은 단수의 NAND를 제작하기 위해서 가장 중요한 것 중 하나가 바로 "식각" 기술입니다.NAND flash는 oxide-nitride 층을 겹겹이 쌓고, 이를 관통하는 구멍을 뚫습니다. 이러한 구멍이 바로 channel hole (or plug)입니다.하지만 적층 수가 증가하게 된다면 channel hole을 바닥 끝까지 형성하는 것이 어려워집니다. 왜냐하면 기존의 반도체 식각 장비로는 한 번에 100단 정도만 식각을 할 수 있기 때문입니다. 위의 그림과 같.. 2025. 2. 21.

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