멤오리의 반도체 일기장!

  • 관리
  • 글쓰기
  • 로그인
  • 로그아웃
  • 홈
  • 태그
  • 방명록

nonequilibrium1

반도체 기초(4)- semiconductor in nonequilibrium 지금까지는 평형상태의 반도체에 대해 공부하였지만 이번 글에서는 비평형(nonequilibrium)상태의 반도체에 대해 알아보겠습니다.앞선 반도체 기초(2) 글에서 설명했지만, 평형상태에서도 CB와 VB 사이에서 전자와 정공은 끊임없이 generation과 recombination을 반복합니다. 이때 generation은 전자와 정공이 생성되는 과정, recombination은 전자와 정공들이 소멸되는 과정입니다. 하지만 이과정들이 균형을 이루고 있기 때문에 전자와 정공의 수는 변하지 않고 유지됩니다.위의 그림은 direct recombination, direct generation을 나타내는 것으로, 이외에도 다양한 종류의 recombination과 generation이 존재합니다. Recombinati.. 2024. 12. 2.
이전 1 다음
  • 분류 전체보기 (31)
    • 반도체 기초 (4)
    • 반도체 소자 (14)
    • 반도체 공정 (7)
    • 반도체 산업 트렌드 (5)
    • 반도체 이모저모 (1)

공지사항

최근글

인기글

최근댓글

태그

early효과 극저온식각 pnjunction 온보드메모리 반도체소자 lpw 다마신 nand llw hbf 하이na lpcamm2 HBM high-na MOSFET 반도체기초 salicide 커스텀메모리 LPDDR SCE SK하이닉스 반도체 MOS EUV lpcamm 삼성전자 8대공정 silicide MOSCAP 반도체공정

전체 방문자

Today :

Yesterday :


TOP

Designed by 티스토리

© Kakao Corp.

티스토리툴바