멤오리의 반도체 일기장!

  • 관리
  • 글쓰기
  • 로그인
  • 로그아웃
  • 홈
  • 태그
  • 방명록

산화공정1

반도체 공정(3)- 산화공정 [반도체 8대공정 ②] 이번 글에서는 반도체 8대 공정 중 두 번째로 산화공정에 대해서 정리해보겠습니다.본격적으로 산화공정에 대해 설명하기에 앞서, 간단하게 nMOS 제작 공정의 흐름을 살펴보겠습니다.먼저, p-type으로 도핑된 실리콘 웨이퍼를 준비한 후, oxidation이라는 공정을 통해 Si을 산화시켜 SiO2 층을 만들어 줍니다. 이는 바로 gate oxide에 해당합니다.이후 deposition 공정을 통해 gate 물질인 poly-Si을 증착 후 gate 영역을 식각(etch)해 줍니다. 이는 원하는 gate length를 갖도록 photolithography 공정을 통해 gate 영역을 정의한 후 식각을 통해 깎아내 주는 단계입니다.그 이후에는 implantation 공정을 통해 P, As와 같은 dopant를 .. 2025. 2. 4.
이전 1 다음
  • 분류 전체보기 (31)
    • 반도체 기초 (4)
    • 반도체 소자 (14)
    • 반도체 공정 (7)
    • 반도체 산업 트렌드 (5)
    • 반도체 이모저모 (1)

공지사항

최근글

인기글

최근댓글

태그

high-na 삼성전자 silicide 극저온식각 SK하이닉스 lpw 온보드메모리 EUV LPDDR MOS 반도체 pnjunction 반도체소자 8대공정 llw MOSFET 커스텀메모리 nand lpcamm MOSCAP 반도체기초 early효과 HBM salicide lpcamm2 다마신 hbf 하이na 반도체공정 SCE

전체 방문자

Today :

Yesterday :


TOP

Designed by 티스토리

© Kakao Corp.

티스토리툴바