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반도체 공정(1)- 8대 공정, 반도체 공정 기초 이번 글부터는 반도체 공정에 대해 정리해보도록 하겠습니다. 각 공정의 세부적인 내용을 다루기에 앞서, 이번 글에서는 8대 공정이 무엇인지 간략하게 정리하고 반도체 기초에 필요한 내용들을 정리해보도록 하겠습니다. 먼저 8대 공정에 대해 설명해보겠습니다.반도체 제조에서 흔히 "8대 공정"이라는 스텝이 존재하는데요,이는 ① 웨이퍼 제조 공정, ② 산화 공정, ③ 포토 공정, ④ 식각 공정, ⑤ 증착 & 이온 주입 공정, ⑥ 금속 배선 공정, ⑦ EDS 공정 (테스트), ⑧ 패키징 공정 을 뜻합니다. 각 단계에 대해 간략하게 정리해보겠습니다. ① 웨이퍼 제조 공정모래를 뜨거운 열로 녹여 순도 높은 Si 용액을 굳히면 '잉곳'이라는 실리콘 기둥이 됩니다. 이 실리콘 기둥을 얇게 slice하면 웨이퍼가 됩니다. 이.. 2025. 1. 31.
반도체 소자(13)- emerging devices 이번 글에서는 차세대 메모리 소자/제품에 대해 설명해드리도록 하겠습니다. DDR/LPDDR DRAMDRAM은 Dynamic Random-Access Memory의 약자로, 1T 1C 구조를 갖고 용량이 크고 속도가 빨라 컴퓨터의 주 메모리로 사용됩니다. DRAM에 대한 자세한 정보는 아래 글에 정리되어 있습니다.https://mem5ry.tistory.com/16 반도체 소자(11)- DRAM이번 글에서는 SRAM에 이어 DRAM에 대해 설명해보도록 하겠습니다.DRAM은 Dynamic Random-Access Memory의 약자로 SRAM에서 "Static"이 "Dynamic"으로 바뀐 소자입니다. 뒤에도 자세히 설명하겠지만 DRAM에서는 저mem5ry.tistory.com DRAM과 관련해서는 DDR .. 2025. 1. 28.
반도체 소자(12)- flash memory 이번 글에서는 flash memory에 대해서 설명하도록 하겠습니다.Flash memory는 전기적으로 데이터를 지우고 프로그래밍할 수 있는 EPROM에서 파생된 메모리소자입니다. DRAM 대비 동작 속도는 느리지만 고용량, 높은 집적도, 저비용의 장점이 있는 소자입니다. 또한 전원이 꺼져도 저장된 데이터를 유지할 수 있는 비휘발성 (nonvolatile)메모리에 속합니다. 따라서 DRAM과 달리 refresh 동작이 필요하지 않아 에너지 측면에서 효율적이라고 할 수 있습니다.Flash memory는 USB, SD카드 혹은 모바일 기기의 소비자용 저장 장치에 사용됩니다. 또한 최근에는 클라우딩 컴퓨팅 및 데이터 센터, 서버 등에 활용되고 있습니다. 기본적인 floating gate flash memory.. 2025. 1. 23.
반도체 소자(11)- DRAM 이번 글에서는 SRAM에 이어 DRAM에 대해 설명해보도록 하겠습니다.DRAM은 Dynamic Random-Access Memory의 약자로 SRAM에서 "Static"이 "Dynamic"으로 바뀐 소자입니다. 뒤에도 자세히 설명하겠지만 DRAM에서는 저장된 데이터가 시간에 따라 변할 수 있어 끊임없이 데이터를 써줘야 합니다. 따라서 "동적"이라는 단어를 사용합니다.DRAM은 셀 구조가 간단하고 상대적으로 빠른 속도, 높은 집적도를 바탕으로한 큰 용량 덕분에 주메모리 (main memory)의 역할을 합니다. DRAM은 서버, PC 뿐만 아니라 모바일 기기 등 다양하게 활용되는 메모리입니다. 가장 먼저 DRAM의 구조에 대해 살펴보겠습니다. DRAM은 크게 3가지 영역을 갖습니다.① 정보를 저장하는 셀 .. 2025. 1. 20.
반도체 소자(10)- SRAM 이번 글에서는 메모리 소자의 기초와 SRAM에 대해서 설명해보도록 하겠습니다. 먼저 memory chip의 구조는 다음과 같습니다. Memory chip에서 가장 중요한 memory cell array는 아래와 같이 나타낼 수 있는데요,Memory cell array는 정보를 저장하는  memory cell들의 집합입니다. Flash memory를 설명할 때 다시 알게 될 내용이지만 하나의 셀의 '0' 또는 '1'의 정보를 저장하면 SLC (Single Level Cell), '00', '01', '10' or '11'의 정보를 저장한다면 MLC (Multi Level Cell)으로 정의할 수 있고 마찬가지로 3 bit, 4 bit의 정보를 저장한다면 TLC (Triple Level Cell), QLC .. 2025. 1. 12.
반도체 소자(9) - leakage current 이번 글에서는 MOSFET의 SCE를 포함한 leakage current에 대해 정리해 보겠습니다. Leakage current의 종류는 아래 그림처럼 다양합니다. 이번 글에서는 아래와 같이 MOSFET에서 발생할 수 있는 다양한 leakage current에 대해 정리해보도록 하겠습니다. 대부분의 내용이 SCE의 내용과 겹치긴 하지만 leakage current 측면에서 다시 한 번 정리해 보는 취지입니다. 가장 먼저 pn junction leakage current에 대해 설명해보겠습니다.① Junction leakageNMOS 기준에서, drain은 n-type, body는 p-type으로 도핑되어 있습니다. 소자를 동작시키기 위해서는 양의 drain 전압을 가하게 되는데요. 이렇게 되면 drain.. 2025. 1. 9.

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